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    进相器可控硅好坏判断_襄阳鄂动电气

    来源:www.hbxyjxq.cn 发布时间:2021/3/13 9:59:47
    静止式进相器是串接在电机转子回路中,变负载式进相器通过改变转子电流与转子电压的相位关系,进相器配件进而改变电机定子电流与电压的相位关系,达到提高电机自身的功率因数和效率,提高电机过载能力、降低电机定子电流、降低电机自身损耗的目的。  进相器中可控硅是将电网中工频50Hz电流转为与电机转子同频的低频电流的交交变频环节主要器件。可控硅实质上是一个通过控制极控制导通或关断的开关元件。

    从可控硅上引出并用螺丝固定在绝缘板上的为可控硅的控制极,也称触发极,而接有触发线的那个散热器端子为可控硅的阴极。也可通过测量阻的办法区分阴阳极。而判断可控硅好坏的简易办法是测其各极间的阻值,好的可控硅各极间阻值如下:  触发极与阴极——几十欧姆;  触发极与阳极——几十千欧以上;  阴极与阳极  ——几十千欧以上。  实际测量时,应抽出驱动板,以保证测量正确。如发现有四只可控硅的阻值均为零时,往往只有个别可控阻值为零,应断开与之相连的母排,重新测量。更换可控硅时,应注意平衡钢球位置,务必压紧散热器,否则易产生过热而烧坏可控硅,更换后应再次检测阻值。可控硅损坏原因判断  当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。  
    1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。 
     2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上 
     3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。 
     4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。  这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
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